下面簡單介紹管式爐適(shi)用(yong)的工藝(yi)：
擴(kuo)散工藝(yi)的主要用途是(shi)在高溫條件下對半(ban)導體(ti)晶圓(yuan)進(jin)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuo)散入硅(gui)片，從而改(gai)變和控制半(ban)導體(ti)內(nei)雜質(zhi)的類(lei)型(xing)、濃度和分(fen)布，以便建立起不(bu)同的電特性區域(yu)。)
常(chang)用(yong)的(de)低壓磷擴散利用(yong)低壓氛圍(wei)可以得到更(geng)好的(de)方塊電阻均勻性和更(geng)大(da)的(de)生產(chan)批量，同時對(dui)環境(jing)的(de)影響最小(xiao)
二、氧(yang)(yang)化(hua)工藝是(shi)使硅片表面在高溫下與氧(yang)(yang)化(hua)劑發生反(fan)應，生長(chang)一層二氧(yang)(yang)化(hua)硅膜。氧(yang)(yang)化(hua)方法有(you)干氧(yang)(yang)和(he)濕(shi)氧(yang)(yang)，濕(shi)氧(yang)(yang)包括水汽氧(yang)(yang)化(hua)和(he)氫氧(yang)(yang)合成兩(liang)種(zhong)，對硅片或器件(jian)起保護、鈍化(hua)、絕緣(yuan)、緩沖介質(zhi)等作用。
三(san)、退(tui)火(huo)(huo)(huo)工藝包含雜(za)(za)質(zhi)退(tui)火(huo)(huo)(huo)（氧(yang)化層退(tui)火(huo)(huo)(huo)、注(zhu)入(ru)后退(tui)火(huo)(huo)(huo)等等）和金(jin)屬退(tui)火(huo)(huo)(huo)，雜(za)(za)質(zhi)退(tui)火(huo)(huo)(huo)兩(liang)個目的(de)，修復晶格激活雜(za)(za)質(zhi)元(yuan)素，工藝溫度比(bi)較高；金(jin)屬退(tui)火(huo)(huo)(huo)比(bi)較復雜(za)(za)，主要目的(de)是解決金(jin)屬與物質(zhi)的(de)接(jie)觸和填充問題，每種(zhong)退(tui)火(huo)(huo)(huo)的(de)原理與適用材料(liao)也(ye)有所區別。
四、合金(jin)工藝主要是形成歐(ou)姆接觸(chu)或者形成鍵合區。
五、燒結工藝主要應用于(yu)電(dian)(dian)真空(kong)(kong)、航空(kong)(kong)航天、電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子、機械加工；可對(dui)(dui)不(bu)銹(xiu)鋼(gang)、無氧(yang)銅、金(jin)屬化陶瓷件(jian)等不(bu)同(tong)零件(jian)進行(xing)無氧(yang)化釬焊(han)、退火、燒結及對(dui)(dui)薄膜、厚(hou)膜電(dian)(dian)路、混(hun)膜集成電(dian)(dian)路等在氫氣、氮氣或氫氮混(hun)合氣體(ti)的保護下， 對工件進行焊接(jie)， 封裝和(he)燒(shao)結等。
擴散爐是光伏(fu)與半導體集成電路(lu)工藝(yi)的基(ji)礎設備，它與光伏(fu)、半導體工藝(yi)互(hu)相依存、互(hu)相促(cu)進、共同(tong)發展。
