下面簡單介紹管(guan)式爐適用的工藝：
擴散工藝(yi)的主要用途(tu)是在高(gao)溫條件(jian)下對半(ban)導(dao)體晶圓進行摻雜，即將(jiang)元(yuan)素磷、硼擴散入(ru)硅片，從(cong)而改變和(he)控制半(ban)導(dao)體內雜質(zhi)的類型、濃(nong)度和(he)分(fen)布，以(yi)便建立(li)起不同(tong)的電特性區域。)
常用(yong)的(de)低壓(ya)磷擴散利(li)用(yong)低壓(ya)氛圍可以得到更好(hao)的(de)方(fang)塊電阻均(jun)勻性和更大的(de)生產批量(liang)，同時對環境的(de)影響(xiang)最小(xiao)
二、氧(yang)(yang)化工藝是(shi)使硅(gui)片表面在高溫(wen)下(xia)與(yu)氧(yang)(yang)化劑發生(sheng)(sheng)反應，生(sheng)(sheng)長一層二氧(yang)(yang)化硅(gui)膜(mo)。氧(yang)(yang)化方法有干氧(yang)(yang)和(he)濕(shi)氧(yang)(yang)，濕(shi)氧(yang)(yang)包括水(shui)汽氧(yang)(yang)化和(he)氫氧(yang)(yang)合成兩種(zhong)，對硅(gui)片或(huo)器件起(qi)保護、鈍(dun)化、絕緣、緩(huan)沖(chong)介質等作用。
三、退(tui)(tui)(tui)火(huo)(huo)工藝包含(han)雜(za)(za)質(zhi)退(tui)(tui)(tui)火(huo)(huo)（氧化層退(tui)(tui)(tui)火(huo)(huo)、注入后退(tui)(tui)(tui)火(huo)(huo)等等）和金(jin)(jin)屬退(tui)(tui)(tui)火(huo)(huo)，雜(za)(za)質(zhi)退(tui)(tui)(tui)火(huo)(huo)兩個目的(de)，修(xiu)復晶格激活雜(za)(za)質(zhi)元素，工藝溫度比較高(gao)；金(jin)(jin)屬退(tui)(tui)(tui)火(huo)(huo)比較復雜(za)(za)，主要目的(de)是(shi)解決金(jin)(jin)屬與物質(zhi)的(de)接觸和填(tian)充問(wen)題，每種退(tui)(tui)(tui)火(huo)(huo)的(de)原理與適用(yong)材料也有所區別。
四、合金工藝(yi)主要是(shi)形成歐姆接觸或者形成鍵合區。
五(wu)、燒結(jie)工藝主要應用(yong)于電真空、航空航天(tian)、電力電子、機(ji)械加工；可對不(bu)銹鋼、無氧(yang)銅(tong)、金(jin)屬化陶瓷(ci)件(jian)等(deng)不(bu)同(tong)零(ling)件(jian)進行(xing)無氧(yang)化釬(han)焊、退火、燒結(jie)及對薄膜(mo)、厚膜(mo)電路、混膜(mo)集成(cheng)電路等(deng)在氫氣、氮氣或氫氮混合氣體(ti)的保護(hu)下(xia)， 對工件進(jin)行焊接(jie)， 封裝和燒結等。
擴(kuo)散爐(lu)是光(guang)伏與半導體集成電路工藝的基礎(chu)設(she)備，它與光(guang)伏、半導體工藝互相依(yi)存、互相促進、共(gong)同發展。
