下面簡單介紹管式爐適用的工藝：
擴散工藝的主要用途是在高溫條件下對半導體晶圓進行摻雜，即將元素磷、硼擴散入硅片，從而改變和控制半導體內雜質的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區域。)
常用的低壓磷擴散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產批量，同時對環境的影響最小
二、氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發生反應，生長一層二氧化硅膜。氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種，對硅片或器件起保護、鈍化、絕緣、緩沖介質等作用。
三、退火工藝包含雜質退火（氧化層退火、注入后退火等等）和金屬退火，雜質退火兩個目的，修復晶格激活雜質元素，工藝溫度比較高；金屬退火比較復雜，主要目的是解決金屬與物質的接觸和填充問題，每種退火的原理與適用材料也有所區別。
四、合金工藝主要是形成歐姆接觸或者形成鍵合區。
五、燒結工藝主要應用于電真空、航空航天、電力電子、機械加工；可對不銹鋼、無氧銅、金屬化陶瓷件等不同零件進行無氧化釬焊、退火、燒結及對薄膜、厚膜電路、混膜集成電路等在氫氣、氮氣或氫氮混合氣體的保護下， 對工件進行焊接， 封裝和燒結等。
擴散爐是光伏與半導體集成電路工藝的基礎設備，它與光伏、半導體工藝互相依存、互相促進、共同發展。
